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MJD122T4中文资料

MJD122T4图片

MJD122T4外观图

  • 大小:91.57KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述:COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
  • 标准包装:10
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):4V @ 80mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大):10µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 4A,4V
  • 功率 - 最大:1.75W
  • 频率 - 转换:4MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:DPAK-3
  • 包装:Digi-Reel®
  • 其它名称:MJD122T4OSDKR

MJD122T4供应商

更新时间:2023-01-27 06:15:36
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